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高速メモリ回路動作シミュレーションの世界最高クラス技術を開発－従来比600倍の高速化により、LSI開発期間を大幅短縮－

日程：2009年2月4日（水）
会場：NEDO日比谷オフィス広報センター

＜司会＞　 NEDO技術開発機構　広報室長　保坂　尚子

13時15分受付開始
13時30分開会
13時35分
  • プロジェクト概要説明　（約5分）
NEDO技術開発機構
電子・情報技術開発部　部長　富田　健介

  • 半導体MIRAIプロジェクト概要説明　（5分）
半導体ＭＩＲＡＩプロジェクト　プロジェクト・リ－ダ－
株式会社半導体先端テクノロジ－ズ
代表取締役社長　渡辺　久恒

  • 開発技術説明　（約10分）
半導体MIRAIプロジェクト　リサ－チ・ユニット・リ－ダ－
株式会社半導体先端テクノロジ－ズ
第四研究部部長　最上　徹

  • 開発技術説明　（約10分）
株式会社ジ－ダット
新技術研究開発室室長　蜂屋　孝太郎

14時05分質疑応答
14時30分閉会

席上配付資料